| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGYA50H120DF2 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 晶体管 Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT |
| 系列 | |
| 发射极最大电压 | 1.2 kV |
| 射极饱和电压 | 2.1 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 100 A |
| Pd-功率耗散 | 535 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
STGYA50H120DF2
¥81.2809
库存 600 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥81.2809 |
| 10 - 99 | ¥73.1528 |
| 100 - 999 | ¥69.0888 |
| 1000 + | ¥65.0247 |