产品属性 | 属性值 |
型号 | STP60N043DM9 |
品牌 | STMicroelectronics |
封装 | TO-220-3 |
描述 | MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
通道 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 56 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
Vgs – 栅极-源极电压 | – 30 V, + 30 V |
Pd-功率耗散 | 245 W |
Vgs th-栅源极阈值电压 | – 30 V, + 30 V |
Qg-栅极电荷 | 78.6 nC |
最小工作温度 | – 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
STP60N043DM9
¥89.0892
库存 369 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥89.0892 |
10 - 99 | ¥80.1803 |
100 - 999 | ¥75.7258 |
1000 + | ¥71.2714 |