产品属性 | 属性值 |
型号 | STP65N150M9 |
品牌 | STMicroelectronics |
封装 | TO-220-3 |
描述 | MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET |
通道 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
Vgs – 栅极-源极电压 | – 30 V, + 30 V |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Vgs th-栅源极阈值电压 | – 30 V, + 30 V |
Qg-栅极电荷 | 32 nC |
最小工作温度 | – 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
STP65N150M9
¥29.7755
库存 228 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥29.7755 |
10 - 99 | ¥26.7980 |
100 - 999 | ¥25.3092 |
1000 + | ¥23.8204 |