| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | TD352IDT |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: TD352IDT 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:12V~26V 峰值灌电流:1.7A 峰值拉电流:1.3A 驱动配置:高边 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 12V~26V |
| 峰值灌电流 | 1.7A |
| 峰值拉电流 | 1.3A |
| 编号 | 编号: C155594 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
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TD352IDT
¥13.5813
无货
¥13.5813
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | TD352IDT |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: TD352IDT 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:12V~26V 峰值灌电流:1.7A 峰值拉电流:1.3A 驱动配置:高边 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 12V~26V |
| 峰值灌电流 | 1.7A |
| 峰值拉电流 | 1.3A |
| 编号 | 编号: C155594 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |