欢迎来到GHPCBA.COM               全年质保               联系我们
邮箱:bob@ghchip.cn         电话: +86-18390034300
所有分类
联系电话:+86-0755-82773089

TK1R4S04PB,LXHQ

¥15.3002

库存 29051 件
数量 价格
1 - 9 ¥15.3002
10 - 99 ¥13.7702
100 - 999 ¥13.0052
1000 + ¥12.2402

产品属性 属性值
型号 TK1R4S04PB,LXHQ
品牌 Toshiba
封装 DPAK-3 (TO-252-3)
描述 MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 40 V
Id-连续漏极电流 120 A
Rds On-漏源导通电阻 1.35 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 180 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 103 nC
最小工作温度
最大工作温度 + 175 C

Search for products

Back to Top
Product has been added to your cart