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TK33S10N1Z,LXHQ

¥11.0627

库存 27696 件
数量 价格
1 - 9 ¥11.0627
10 - 99 ¥9.9564
100 - 999 ¥9.4033
1000 + ¥8.8502

产品属性 属性值
型号 TK33S10N1Z,LXHQ
品牌 Toshiba
封装 DPAK-3 (TO-252-3)
描述 MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 100 V
Id-连续漏极电流 33 A
Rds On-漏源导通电阻 9.7 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 125 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 28 nC
最小工作温度
最大工作温度 + 175 C

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