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TPW4R50ANH,L1Q

¥21.8881

库存 11822 件
数量 价格
1 - 9 ¥21.8881
10 - 99 ¥19.6993
100 - 999 ¥18.6049
1000 + ¥17.5105

产品属性 属性值
型号 TPW4R50ANH,L1Q
品牌 Toshiba
封装 DSOP-8
描述 MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 100 V
Id-连续漏极电流 92 A
Rds On-漏源导通电阻 4.5 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 142 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 58 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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