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TW015Z65C,S1F

¥353,916.0000

库存 30 件
数量 价格
1 - 9 ¥353,916.0000
10 - 99 ¥318,524.4000
100 - 999 ¥300,828.6000
1000 + ¥283,132.8000

产品属性 属性值
型号 TW015Z65C,S1F
品牌 Toshiba
封装 TO-247-4
描述 MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V
Id-连续漏极电流 100 A
Rds On-漏源导通电阻 15 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 10 V, + 25 V
Pd-功率耗散 342 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 10 V, + 25 V
Qg-栅极电荷 128 nC
最小工作温度
最大工作温度 + 175 C

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