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TW060N120C,S1F

¥136.8430

库存 302 件
数量 价格
1 - 9 ¥136.8430
10 - 99 ¥123.1587
100 - 999 ¥116.3166
1000 + ¥109.4744

产品属性 属性值
型号 TW060N120C,S1F
品牌 Toshiba
封装 TO-247-3
描述 MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 1.2 kV
Id-连续漏极电流 36 A
Rds On-漏源导通电阻 182 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 10 V, + 25 V
Pd-功率耗散 170 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 10 V, + 25 V
Qg-栅极电荷 46 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

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