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TW107Z65C,S1F

¥61.0200

库存 40 件
数量 价格
1 - 9 ¥61.0200
10 - 99 ¥54.9180
100 - 999 ¥51.8670
1000 + ¥48.8160

产品属性 属性值
型号 TW107Z65C,S1F
品牌 Toshiba
封装 TO-247-4
描述 MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V
Id-连续漏极电流 20 A
Rds On-漏源导通电阻 107 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 10 V, + 25 V
Pd-功率耗散 76 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 10 V, + 25 V
Qg-栅极电荷 21 nC
最小工作温度
最大工作温度 + 175 C

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