| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | VS-GT100TS065N |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 封装 | Module |
| 描述 | IGBT 模块 Modules IGBT – IAP IGBT |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 96 A |
| 射极饱和电压 | 120 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 259 W |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Half Bridge |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
VS-GT100TS065N
¥585.5434
库存 39 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥585.5434 |
| 10 - 99 | ¥526.9891 |
| 100 - 999 | ¥497.7119 |
| 1000 + | ¥468.4347 |