产品属性 | 属性值 |
型号 | YQ30NL10SETL |
品牌 | ROHM Semiconductor |
封装 | TO-263L-2 |
描述 | 肖特基二极管与整流器 Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe |
系列 | |
If – 正向电流 | 30 A |
Vrrm – 重复反向电压 | 100 V |
Vf – 正向电压 | 780 mV |
Ifsm – 正向浪涌电流 | 200 A |
Ir – 反向电流 | 150 uA |
资格 | |
技术 | Si |
最小工作温度 | |
最大工作温度 | + 150 C |
YQ30NL10SETL
¥15.5375
库存 980 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥15.5375 |
10 - 99 | ¥13.9838 |
100 - 999 | ¥13.2069 |
1000 + | ¥12.4300 |